Proiecte

< Înapoi

Realizare demonstrator în tehnologia planară de tranzistor cu tunelare a izolatorilor ultrasubțiri - ca promotor al unei serii de nano-dispozitive și evidențierea utilității în industrie

Coordonat de: Cristian Ravariu

Alți membri ai departamentului implicați în acest proiect: Florin Babarada, Lidia Dobrescu

Persoane din afara departamentului implicate în acest proiect:

  • CP I Elena Manea
  • CP I Purica Munizer
  • CP I Ileana Cernica
  • CP I Adrian Dinescu
  • CP II Ioana Pachiu
  • Resp. econ. Alina Popescu
  • CP III Cătălin Pârvulescu
  • Drd. Vlad Plăcintă

Descriere:

Cod UEFISCDI: PN-III- P2-2.1- PED-2016- 0427
Tipul proiectului: PED - Proiecte Experimental Demonstrativ
Număr contract: 205PED / 2017
Perioadă derulare: august 2017 - decembrie 2018
Coordonator: UPB
Partener: IMT-București

Rezumat: Obiectivul principal al proiectului este demonstrarea prin fabricare a unui prototip de dispozitiv electronic bazat pe tunelarea izolatorilor ultra-subtiri, ca exponent NOI pe plachete de Siliciu al așa-numitului tranzistor Nimic pe Izolator, varianta pe tehnologie planara (p-NOI). Pentru dispozitivul p-NOI, izolatorul poate fi vidul sau oxidul, dar e important să fie ultra-subțire de 2...10nm grosime. Propunem în acest proiect o arhitectură planara p-NOI, în Siliciu, cu oxidul ca izolator. Relevanța practică a proiectului derivă din dispozitivul p-NOI fabricat în mai multe variante pe Siliciu, și corelarea curbelor experimentale, teoretice și simulate. Viitoarele simulări Atlas vor fi ancorate într-o tehnologie reală, pentru a simula cu acuratete dispozitivele. Această etapă a fabricarii unui exponent al seriei NOI a fost solicitat în mod clar de ultimii revizori ai Jurnalelor Transaction IEEE, unde s-au publicat simulari NOI. Noutatea tehnico-științifică și fezabilitatea derivă din: fabricarea unui dispozitiv nou printr-o tehnologie bine controlata in Si, avem deja in propunere o varianta p-NOI simulata în Atlas; etapele intermediare din planul de proiect (proiectare-măști, simulări, fabricare măști sunt pași intermediari pentru fabricare). Managementul proiectului apeleaza la schema managementului de produs. Experiența ambelor echipe, UPB si IMT, demonstrată de asemenea prin proiecte comune anterioare și publicatii comune sunt un motiv favorabil pentru asigurarea scopului proiectului și fezabilitate.

Obiective generale

O1. Proiectare și simulare a variantelor NOI în diferite configurații;
O2. Proiectarea tehnologiei pentru implementarea variantelor p-NOI în tehnologie planara;
O3. Proiectare și fabricarea mastilor pentru variantele p-NOI pe placheta Si;
O4. Fabricarea variantelor p-NOI în tehnologia Si-planara;
O5. Teste electronice și caracterizarea variantelor fabricate de p-NOI;
O6. Demonstrarea tunelarii în p-NOI fabricat, prin măsurători;
O7. Definirea de aplicații industriale, depunere brevet, formularea concluziilor;
O8. Diseminări, întâlniri tehnice.

Rezultate estimate

  1. selectia variantelor de dispozitive p-NOI care vor fi construite in tehnologia planara pe Siliciu;
  2. validari functionale prin simulari Atlas-Athena;
  3. proiectarea etapelor tehnologice si mastilor pentru realizare de p-NOI;
  4. producerea setului de masti pentru p-NOI.
  5. rezultatul practic al fluxului tehnologic in Siliciu pentru realizarea p-NOI;
  6. produsele practice fabricate ca variante de p-NOI (NOI in tehnologie planara);
  7. rezultatele caracterizarilor de materiale si proceselor tehnologice;
  8. rezultatele caracterizarilor statice si dinamice ale dispozitivelor p-NOI fabricate;
  9. rapoarte financiare si stiintifice per etapa;
  10. rezultate sub forma de articole publicate si diseminari in forumuri stiintifice nationale / internationale; 
  11. depunere la OSIM a 1 brevet.

Etapele de start

  • Etapa I. Simulare si proiectare pentru tehnologia variantelor p-NOI cu ajutorul instrumentelor soft-hard
  • Etapa. II. Fabricarea variantelor p-NOI asistata de instrumente din microelectronica pe Siliciu